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上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。瞻芯电子从海内外齐集了一支经验丰富的高素质核心团队，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品，并围绕碳化硅功率半导体应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。
瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，并先后开发量产了技术指标领先、参数规格齐全，封装形式多样的高可靠SiC MOSFET，SiC SBD和SiC模块产品，其中包括技术门槛极高的车规级1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片，技术指标达到国际一流水平。同时，多款SiC器件通过了车规级（AEC-Q）认证，并有大批量“上车”应用。
瞻芯电子也围绕碳化硅的应用需求，首创开发了一系列栅极驱动芯片和模拟控制芯片产品，成为业界技术创新的标杆，获得广泛关注。具体包括，2019年先后发布产业界首款6-8 pin紧凑封装，集成负压产生、短路保护、欠压保护和错误汇报功能的SiC专用驱动芯片，其中2款通过车规级（AEC-Q）认证， 并大批量“上车”应用。2021年11月发布了业界首款连续模式（CCM）图腾柱PFC模拟控制芯片，内置精确可靠的模拟控制功能，无需编程，使用简单，2022年1月发布了首款隔离型栅极驱动芯片，取得了一系列的可喜成果。
当前瞻芯的产品已先后进入工业和汽车电子市场，广泛应用于新能源汽车、半岛电竞官网入口 半岛电竞登录光储充、工业电源等领域，大批量交付了业界知名客户。截至2022年8月，瞻芯电子开发的碳化硅MOSFET产品已累计出货120万颗以上，驱动芯片累计出货1000万颗以上。
瞻芯电子现已进入快速发展阶段，2021年销售额1300万元，预计2022年销售额超1亿元，同时公司累计完成融资7.25亿元，核心股东包括小米产投、小鹏汽车、国投招商、光速中国、临芯投资、麦格米特、北汽产投、上汽恒旭、宁德时代、广汽资本、金浦投资、浦东科创等重量级产业和财务投资人。
2022年7月，瞻芯电子建成了一座按车规级质量标准设计的晶圆厂，一期设计产能为30万片六英寸晶圆，将进一步加快工艺和器件迭代开发，并提升对重点领域客户的供应能力，标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型，进入中国领先SiC功率半导体公司行列。
瞻芯电子将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅（SiC）功率半导体和芯片解决方案提供商。
1200V 17 mΩ SiC MOSFET裸芯片，是专为汽车电子而设计的高可靠性、高品质和高性能器件，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，最大持续导通电流111A@25℃，工作温度是-55℃-175℃，非常适合EV主电机驱动，能显著提高主驱的功率密度，减少磁性组件体积和重量，简化电路设计，减少系统总成本。该芯片支持双面散热封装，可突破传统单面封装的功率密度极限。
这是一款1200V 17 mΩ SiC MOSFET裸芯片，专为汽车电子而设计的，高可靠性、高品质和高性能车规级产品，具备高耐压（1200V）、大电流（111A）、低电阻（17 mΩ）等特点，最大持续导通电流111A@25℃，工作温度是-55℃-175℃，阈值电压Vth@25℃=3.2V,Vth@175℃=2.4V，栅极总电荷Qg为280nC.
该芯片非常适合新能源汽车主电机驱动，能显著提高主驱系统的功率密度，减少磁性组件体积和重量，简化电路设计，从而显著减少系统总成本。
瞻芯开发了独到的栅氧化界面态钝化工艺，使器件的稳定性和可靠性得到提高，也极大地提升了沟道迁移率，结合紧凑的元胞设计，使SiC MOSFET产品的核心参数-单位面积比导通电阻（Rsp）达到世界一流水平。
因在SiC MOSFET芯片中，有数以万计元胞结构，其中任何一个失效，则导致整个芯片失效，而该产品的芯片面积是常用的1200V 80mOhm SiC MOSFET产品的3-4倍，半岛电竞官网入口 半岛电竞登录所以极易因材料、工艺引入的缺陷等因素而导致低良率。我司采取了极为严苛的工艺控制程序，才确保了产品高良率水平。
该产品采取正面化镀镍钯金，可支持双面散热封装，而该工艺技术难度较高，通过多轮工艺开发优化，达到较为稳定的化镀效果。
瞻芯电子有一支经验丰富的电力电子应用团队，具备参考设计开发、现场应用支持能力，可为客户提供应用方案参考、系统调试、故障分析等全面支持。
该产品主要的目标应用是EV主电机驱动控制器，作为整车内最关键的核心子系统，目前国内整车厂商普遍处于探索应用碳化硅MOSFET的阶段，仅导入了个别国际头部厂商的碳化硅MOSFET产品。瞻芯的碳化硅MOSFET，已大批量导入比亚迪OBC应用，有望成为中国首批导入车载电驱动系统的厂商。
IVCR1402DPQR 是瞻芯在业界首创的一款碳化硅MOSFET专用栅极驱动芯片，并且为设计紧凑的高速、智能的栅极驱动器，仅在 8 引脚封装上集成负压产生、短路保护、欠压保护和错误汇报等一系列的关键功能，能够高效、安全地驱动 SiC MOSFET，并兼容IGBT驱动能力。
IVCR1402DPQR 是一款4A拉灌电流、单通道的高速、智能驱动芯片，集成了负压产生、短路保护、欠压保护和错误汇报等功能，可以高效，安全地驱动SiC MOSFET 和IGBT。
• 带有负压的驱动，可在高dv / dt 下，提高抗米勒效应的噪声抑制能力。
• 集成负压生成和5V参考输出，可为外部隔离器供电，省去片外LDO，减少外部组件数量。
• 退饱和检测，可提供有效的短路保护，并降低电源设备和系统元件损坏的风险。
• 内置消隐，固定的200ns时间，以防止电流尖峰和噪声而意外触发过流保护。
• 当发生UVLO 或过电流时，故障信号 /FAULT 变为低电平，向系统发出告警，为主控端故障诊断提供参考。
• 具有低传播延迟和失配时间（仅45nS），可使SiC MOSFET 以数百kHz 的频率开关。
在国际上率先采用8引脚紧凑封装，并集成了负压生成、退饱和等关键功能，推动碳化硅MOSFET应用达到更高集成度、高效率的目标。在IVCR1402问世之前，电力电子系统厂商为实现类似功能，需要用传统的IGBT驱动器，并配置大量外围器件来实现。
瞻芯电子有一支经验丰富的电力电子应用团队，具备参考设计开发、现场应用支持能力，可为客户提供应用方案参考、系统调试、故障分析等全面支持。
IVCR1402DPQR是一款车规级芯片，最主要的应用案例是在知名新能源车客户的采购选型对比中，击败了某美国企业的传统方案，完成了完整的车用产品测试程序，能帮助车载应用系统提升电能转换效率，增强系统性能，现已经正式量产“上车”，应用新能源汽车空压机/热管理系统，进入小鹏G9新能源汽车应用。